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可擦除可编程只读存储器/Erasable Programmable Read-Only Memory
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Ein EPROM (engl. Abk. für erasable programmable read-only memory, wörtlich: löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger elektronischer Speicherbaustein, der bis etwa in die Mitte der 1990er-Jahre vor allem in der Computertechnik eingesetzt wurde, inzwischen aber weitgehend durch EEPROMs abgelöst ist.

Dieser Bausteintyp ist mit Hilfe spezieller Programmiergeräte (genannt „EPROM-Brenner“) programmierbar. Er lässt sich mittels UV-Licht löschen und danach neu programmieren. Nach etwa 100 bis 200 Löschvorgängen hat das EPROM das Ende seiner Lebensdauer erreicht. Das zur Löschung nötige Quarzglas-Fenster (normales Glas ist nicht UV-durchlässig) macht das Gehäuse relativ teuer. Daher gibt es auch Bauformen ohne Fenster, die nominal nur einmal beschreibbar sind (One Time Programmable, OTP), sich durch Röntgenstrahlung aber ebenfalls löschen lassen.

Das EPROM wurde 1970 bei Intel von Dov Frohman entwickelt.

 

可擦除可编程只读存储器英语:Erasable Programmable Read Only Memory),由以色列工程师Dov Frohman发明,是一种断电后仍能保留数据的计算机存储芯片——即非易失性的(非易失性)。它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM,这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

一片编程后的EPROM,可以保持其数据大约10~20年,并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖,以防偶然被阳光擦除。老式计算机的BIOS芯片,一般是EPROM,擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。

一些在闪存出现前生产的微控制器,具有使用EPROM来存储程序的版本,以利于程序开发;因为,如使用一次性可编程器件,在调试时将造成严重浪费。

An EPROM (rarely EROM), or erasable programmable read-only memory, is a type of memory chip that retains its data when its power supply is switched off. Computer memory that can retrieve stored data after a power supply has been turned off and back on is called non-volatile. It is an array of floating-gate transistors individually programmed by an electronic device that supplies higher voltages than those normally used in digital circuits. Once programmed, an EPROM can be erased by exposing it to strong ultraviolet light source (such as from a mercury-vapor light). EPROMs are easily recognizable by the transparent fused quartz window in the top of the package, through which the silicon chip is visible, and which permits exposure to ultraviolet light during erasing. 

La mémoire EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) est un type de mémoire morte reprogrammable.  La mémoire EPROM peut être lue par l'électronique de l'équipement sur lequel elle est utilisée. Par contre, elle ne peut pas être facilement ré-écrite. L'écriture est un processus relativement lent qui dépendra du modèle (exemples : 1 minute pour 2 Mbit pour un modèle moderne - M27C160 - mais jusqu'à 3 minutes pour un modèle plus ancien de seulement 32 Kbit - F2732 -) et nécessitant l'application de tensions électriques plus élevées et rarement gérées directement par la carte mémoire. Il est possible d'écrire la totalité de l'EPROM ou indépendamment certaines adresses mémoires mais il faut pour cela retirer l'EPROM de son support et la placer dans un appareil dédié à cet effet.

In elettronica digitale, la EPROM, acronimo di Erasable Programmable Read Only Memory, ovvero memoria di sola lettura programmabile e cancellabile, è una memoria informatica di sola lettura cancellabile tramite raggi ultravioletti. Si tratta di un'evoluzione della PROM che, una volta programmata, non può più essere in generale modificata. La EPROM invece può essere totalmente cancellata, per un numero limitato ma consistente di volte, e riprogrammata a piacimento.

L'invenzione della EPROM, avvenuta nel 1971, è dovuta ad un ingegnere israeliano, Dov Frohman, fuoriuscito dalla Fairchild Semiconductor per unirsi a Moore, Noyce e Grove, fondatori della società Intel, che a loro volta erano usciti dalla Fairchild l'anno prima.

Le memorie EPROM si basano sul transistor ad effetto di campo FAMOS (Floating-gate Avalanche Injection MOS), un tipo di Floating Gate MOSFET a canale p programmabile mediante breakdown a valanga.

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel.1​ Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante",2​ cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). 

 

 

 
 
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快闪存储器/闪存/Flash memory

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快闪存储器英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除,就会清除掉整颗芯片上的数据。 

Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine; die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Sie gewährleisten eine nichtflüchtige Speicherung bei gleichzeitig niedrigem Energieverbrauch. Flash-Speicher sind portabel und miniaturisiert, es lassen sich jedoch bei Flash-EEPROM, im Gegensatz zu gewöhnlichem EEPROM-Speicher, Bytes, die kleinsten adressierbaren Speichereinheiten, nicht einzeln löschen oder überschreiben. Flash-Speicher sind auch langsamer als Festwertspeicher (ROM). 

Flash memory is an electronic (solid-state) non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed.

Toshiba developed flash memory from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) in the early 1980s and introduced it to the market in 1984.[citation needed] The two main types of flash memory are named after the NAND and NOR logic gates. The individual flash memory cells exhibit internal characteristics similar to those of the corresponding gates.

While EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND-type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR-type flash allows a single machine word (byte) to be written – to an erased location – or read independently.

The NAND type operates primarily in memory cards, USB flash drives, solid-state drives (those produced in 2009 or later), and similar products, for general storage and transfer of data. NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROM or battery-powered static RAM. One key disadvantage of flash memory is that it can only endure a relatively small number of write cycles in a specific block.[1]

Example applications of both types of flash memory include personal computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, and medical electronics. In addition to being non-volatile, flash memory offers fast read access times, although not as fast as static RAM or ROM.[2] Its mechanical shock resistance helps explain its popularity over hard disks in portable devices, as does its high durability, ability to withstand high pressure, temperature and immersion in water, etc.[3]

Although flash memory is technically a type of EEPROM, the term "EEPROM" is generally used to refer specifically to non-flash EEPROM which is erasable in small blocks, typically bytes.[citation needed] Because erase cycles are slow, the large block sizes used in flash memory erasing give it a significant speed advantage over non-flash EEPROM when writing large amounts of data. As of 2013, flash memory costs much less than byte-programmable EEPROM and had become the dominant memory type wherever a system required a significant amount of non-volatile solid-state storage.

La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs ré-inscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension. Ainsi, la mémoire flash stocke les bits de données dans des cellules de mémoire, mais les données sont conservées en mémoire lorsque l'alimentation électrique est coupée.

Sa vitesse élevée, sa durée de vie et sa faible consommation (qui est même nulle au repos) la rendent très utile pour de nombreuses applications : appareils photo numériques, téléphones cellulaires, imprimantes, assistants personnels (PDA), ordinateurs portables ou dispositifs de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques, clés USB. De plus, ce type de mémoire ne possède pas d'éléments mécaniques, ce qui lui confère une grande résistance aux chocs.

La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura. Quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM.

In una memoria flash le informazioni vengono registrate in un vettore di floating gate MOSFET, una tipologia di transistor ad effetto di campo in grado di mantenere carica elettrica per un tempo lungo. Ogni transistor costituisce una "cella di memoria" che conserva il valore di un bit. Le nuove flash utilizzano delle celle multilivello che permettono di registrare il valore di più bit attraverso un solo transistor.

Diversamente dalle tecnologie precedenti, la tecnologia Flash ha reso possibile il salvataggio o la cancellazione di dati in un unico passo, introducendo quindi un incredibile guadagno in velocità, e grazie alla non-volatilità è usata frequentemente nelle fotocamere digitali, nei lettori di musica portatili, nei cellulari, nelle pendrive (chiavette), nei palmari, nei moderni computer portatili e in molti altri dispositivi che richiedono un'elevata portabilità e una buona capacità di memoria per il salvataggio dei dati.

Esistono principalmente due tipologie di memorie flash, dette NOR flash e NAND flash, che differiscono per l'architettura ed il procedimento di programmazione. Vi è anche una tipologia ibrida, la AND flash, che sfrutta le caratteristiche di entrambe, NOR e NAND.

La memoria flash derivada de las siglas EEPROM permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB

 

 

 

 

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現場可編程邏輯門陣列 现场可编程逻辑门阵列
Field Programmable Gate Array,FPGA

现场可编程逻辑门阵列(英语:Field Programmable Gate Array,缩写为FPGA),它以PALGALCPLD可编程逻辑器件为技术基础发展而成。作为特殊应用集成电路中的一种半定制电路,它既弥补全定制电路不足,又克服原有可编程逻辑控制器逻辑门数有限的缺点。

Ein FPGA (Akronym für Field Programmable Gate Array) ist ein integrierter Schaltkreis (IC) der Digitaltechnik, in welchen eine logische Schaltung geladen werden kann. Die Bezeichnung kann übersetzt werden als im Feld (also vor Ort, beim Kunden) programmierbare (Logik-)Gatter-Anordnung.

Anders als bei der Programmierung von ComputernMikrocontrollern oder Steuerungen bezieht sich hier der Begriff Programmierung nicht nur auf die Vorgabe zeitlicher Abläufe, sondern vor allem auch auf die Definition der gewünschten Schaltungsstruktur. Diese wird mittels einer Hardwarebeschreibungssprache formuliert und von einer Erzeugersoftware in eine Konfigurationsdatei übersetzt, welche vorgibt, wie die physischen Elemente im FPGA verschaltet werden sollen. Man spricht daher auch von der Konfiguration des FPGA. Ohne diese hat der Baustein keine Funktion.

FPGAs stellen eine Weiterentwicklung der PLDs dar und kommen in vielen Gebieten der digitalen Elektronik zum Einsatz.

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富士通
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格罗方德半导体股份有限公司
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圖形處理器 图形处理器/graphics processing unit/Grafikprozessor

图形处理器英语:graphics processing unit缩写GPU),又称显示核心视觉处理器显示芯片绘图芯片,是一种专门在个人计算机工作站游戏机和一些移动设备(如平板电脑智能手机等)上运行绘图运算工作的微处理器

图形处理器是英伟达公司(NVIDIA)在1999年8月发表精视 256(GeForce 256)绘图处理芯片时首先提出的概念,在此之前,计算机中处理视频输出的显示芯片,通常很少被视为是一个独立的运算单元。而对手冶天科技(ATi)亦提出视觉处理器(Visual Processing Unit)概念。图形处理器使显卡减少对中央处理器(CPU)的依赖,并分担部分原本是由中央处理器所担当的工作,尤其是在进行三维绘图运算时,功效更加明显。图形处理器所采用的核心技术有硬件座标转换与光源、立体环境材质贴图和顶点混合、纹理压缩和凹凸映射贴图、双重纹理四像素256位渲染引擎等。

图形处理器可单独与专用电路板以及附属组件组成显卡,或单独一片芯片直接内嵌入到主板上,或者内置于主板的北桥芯片中,现在也有内置于CPU上组成SoC的。个人计算机领域中,在2007年,90%以上的新型台式机笔记本电脑拥有嵌入式绘图芯片,但是在性能上往往低于不少独立显卡。[1]但2009年以后,AMD英特尔都各自大力发展内置于中央处理器内的高性能集成式图形处理核心,它们的性能在2012年时已经胜于那些低级独立显卡,[2]这使得不少低级的独立显卡逐渐失去市场需求,两大个人计算机图形处理器研发巨头中,AMD以AMD APU产品线取代旗下大部分的低级独立显示核心产品线。[3]而在手持设备领域上,随着一些如平板电脑等设备对图形处理能力的需求越来越高,不少厂商像是高通(Qualcomm)、PowerVRARM、NVIDIA等,也在这个领域里纷纷“大展拳脚”。

GPU不同于传统的CPU,如Intel i5i7处理器,其内核数量较少,专为通用计算而设计。相反,GPU是一种特殊类型的处理器,具有数百或数千个内核,经过优化,可并行运行大量计算。虽然GPU在游戏中以3D渲染而闻名,但它们对运行分析、深度学习机器学习算法尤其有用。GPU允许某些计算比传统CPU上运行相同的计算速度快10倍至100倍。

Ein Grafikprozessor (englisch graphics processing unitGPU, seltener engl. visual processing unitVPU[1]) ist ein auf die Berechnung von Grafiken spezialisierter und optimierter Prozessor für Computer, Spielkonsolen und Smartphones. Zusätzlich gibt er die berechneten Grafiken an ein oder mehrere Displays aus. Früher hatten Grafikkarten gar keine eigenen Rechenfähigkeiten und waren reine Ausgabekarten. Ab Mitte der 1990er Jahre wurden zuerst 2D-Fähigkeiten und später rudimentäre 3D-Fähigkeiten integriert, der Grafikprozessor war festverdrahtet oder seine Programmierbarkeit war beschränkt auf seine Firmware. Seit Mitte der 2000er Jahre kann die CPU „Programme“ auf die Grafikkarte/in die GPU laden, die so in beschränktem Rahmen flexibel programmierbar ist.

Grafikprozessoren findet man auf dem Die von CPUs mit integrierter Grafikeinheit (manchmal APU genannt), auf der Hauptplatine (Onboard, als Integrierter Grafikprozessor) wie auch auf Erweiterungskarten (Steckkarte). Im letzteren Fall sind mehrere GPUs auf einer Grafikkarte, bzw. auch mehrere Grafikkarten pro PC möglich. Für Notebooks gibt es externe Erweiterungsboxen, in die eine Grafikkarte gesteckt werden kann; in Dockingstationen kann eine eigene Grafikeinheit verbaut sein. Fast alle heute produzierten Grafikprozessoren für Personal Computer stammen von AMD, Intel oder Nvidia. Die Integration auf Steckkarten liegt dagegen bis auf Sonder- und Referenzmodelle seit einiger Zeit bei anderen Herstellern.

Un processeur graphique, ou GPU (de l'anglais Graphics Processing Unit), est un circuit intégré la plupart du temps présent sur une carte graphique (mais pouvant aussi être intégrée sur une carte-mère ou dans un CPU) et assurant les fonctions de calcul de l'affichage. Un processeur graphique a généralement une structure hautement parallèle (voir accélération matérielle) qui le rend efficace pour une large palette de tâches graphiques comme le rendu 3D, en Direct3D, en OpenGL, la gestion de la mémoire vidéo, le traitement du signal vidéo, la décompression Mpeg, etc.

Leur parallélisme massif les rend aussi intéressants comme processeurs de calcul matriciel, ou pour des cassages de code en force brute1 d'archives chiffrées. Enfin, leur rapport performance/prix les avantage pour le calcul2.

Peu d’entreprises conçoivent de tels processeurs : les plus connues sont NVIDIA, AMD (anciennement ATI) et Intel. Il y a aussi d'autres fabricants désormais moins importants ou moins connus du grand public, comme que Qualcomm, S3 Graphics, Matrox, 3DLabs (en), et XGI (en). Ces entreprises sont dites « Fabless », c'est-à-dire qu'elles conçoivent les circuits graphiques, mais ne les fabriquent pas en série. D'autres entreprises (Asus, MSI, PNY…) se chargent ensuite de proposer des cartes graphiques intégrant ces processeurs. Ce sont les entreprises constructrices. Celles-ci prennent en général une certaine liberté de modification des fréquences de fonctionnement des GPU par rapport aux fréquences de base préconisées par les concepteurs. C'est le principe de l'overclocking. Bien entendu, ces modifications nécessitent un choix rigoureux dans le système de refroidissement, car bien souvent, les fréquences en hausse provoquent également en contrepartie une hausse de température, à l'image des CPU. Ces fréquences varient entre les constructeurs et selon les modèles et les systèmes de refroidissement proposés par ces entreprises. L'écart de performance entre les modèles de référence (fournis par les concepteurs) et les constructeurs varie et certains GPU personnalisés peuvent même présenter un gain non négligeable par rapport au GPU de référence.

L'unità di elaborazione grafica (più nota come GPU, dalla lingua inglese graphics processing unit) o unità di elaborazione visiva (VPU, in inglese visual processing unit) o processore grafico o processore visivo è una tipologia particolare di coprocessore che si contraddistingue per essere specializzata nel rendering di immagini grafiche. Il suo tipico utilizzo è come coprocessore della CPU e da alcuni anni viene anche utilizzata in generiche elaborazioni dati (GPGPU).

La GPU è tipicamente implementata come microprocessore monolitico e, da alcuni anni, viene anche implementata assieme alla CPU nel medesimo circuito integrato.[1] Da alcuni anni vengono anche prodotti processori multicore formati da più core di GPU.

processori multicore | informatica | microprocessore monolitico rendering | coprocessore | elaborazioni dati | CPU grafiche.

Unidad de procesamiento gráfico o GPU (Graphics Processing Unit) es un coprocesador dedicado al procesamiento de gráficos u operaciones de coma flotante, para aligerar la carga de trabajo del procesador central en aplicaciones como los videojuegos o aplicaciones 3D interactivas. De esta forma, mientras gran parte de lo relacionado con los gráficos se procesa en la GPU, la unidad central de procesamiento (CPU) puede dedicarse a otro tipo de cálculos (como la inteligencia artificial o los cálculos mecánicos en el caso de los videojuegos).

La GPU implementa ciertas operaciones gráficas llamadas primitivas optimizadas para el procesamiento gráfico. Una de las primitivas más comunes para el procesamiento gráfico en 3D es el antialiasing, que suaviza los bordes de las figuras para darles un aspecto más realista. Adicionalmente existen primitivas para dibujar rectángulos, triángulos, círculos y arcos. Las GPU actualmente disponen de gran cantidad de primitivas, buscando mayor realismo en los efectos.

Las GPU están presentes en las tarjetas gráficas.

 

 

 

 

 

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高带宽存储器
High Bandwidth Memory (engl. kurz: HBM, deutsch Speicher mit hoher Bandbreite) ist eine von AMD zusammen mit SK Hynix entwickeltes breitbandiges Interface, um größere Mengen dynamischen Arbeitsspeichers (8 bis 64 GByte) auf Chipebene mit hoher Übertragungsrate an Grafik- oder Hauptprozessoren anzubinden.

高带宽存储器(英文:High Bandwidth Memory,缩写HBM)是三星电子超微半导体SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合,像是图形处理器、网络交换及转发设备(如路由器交换器)等。[1]首款使用高带宽存储器的设备是AMD Radeon Fury系列显示核心[2][3]

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海思半導體 海思半导体
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日立
1910
 
 
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IBM POWER Processor Technology Roadmap

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Technology node 7 nm
Launched 2021 Designed by IBM Performance Max. CPU clock rate >5 GHz Cache L2 cache 32 MB per core Architecture and classification Technology node 7 nm Instruction set z/Architecture Physical specifications Cores 8

 

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